Подпишитесь на эту коллекцию, чтобы ежедневно получать уведомления по электронной почте о новых добавлениях

Дата выпуска	Название	Автор(ы)
1977	Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании	Комаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1977	Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах	Комаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1978	Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний	Гуманский, Г. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Тишков, В. С.
1978	Распределение углерода в кремнии при ионной имплантации	Гуманский, Г. А.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1980	Радиационное повреждение и распределение внедренной примеси в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора	Белый, И. М.; Комаров, Ф. Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1979	Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора	Ташлыков, Игорь Серафимович
1980	Backscattering measurements of P+ implanted GaAs crystals	Tashlykov, I. S.
1980	Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора	Ташлыков, Игорь Серафимович
1980	Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals	Komarov, F. F.; Tashlykov, I. S.
1981	Effect of ion implantation on the oxygen overpotential of Ni anodes	Akano, U.; Davies, J. A.; Smeltzer, W. W.; Tashlykov, I. S.; Thompson, D. A.
1982	Применение метода резонансных ядерных реакций для изучения пространственного распределения алюминия, имплантированного в арсенид галлия	Дэвис, Дж.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Хау, Л.
1982	Различия в радиационном повреждении GaAs при имплантации ионов P и Al	Дэвис, Дж.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Томпсон, Д. А.
1982	Non-destructive quality control and microanalysis of ion-implanted solids	Tashlykov, I. S.
1982	Disorder dependence of ion implanted GaAs on the type of ion	Tashlykov, I. S.
1983	Ядзерна-фізічны даследчы комплекс на базе электрастатычнага паскаральніка іонаў ЭСУ-2	Камароў, Ф. Ф.; Котаў, Я. В.; Плашчынскі, Г. I.; Ташлыкоў, Iгар Серафімавіч
1983	Анализ поверхности твердых тел с применением пучков ускоренных ионов	Кумахов, М.А.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1984	Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлия	Ташлыков, Игорь Серафимович
1984	The influence of dose rate and analysis procedure on measured damage in P+ ion implanted GaAs	Carter, G.; Nobes, M. J.; Tashlykov, I. S.
1985	Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия	Ташлыков, Игорь Серафимович
1985	Обработка поверхности углеродных материалов пучками ионов платины, железа и никеля	Поплавский, В. В.; Ратников, Э. В.; Ташлыков, Игорь Серафимович