Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9220
Название: Disorder dependence of ion implanted GaAs on the type of ion
Авторы: Tashlykov, I. S.
Ключевые слова: БГПУ
gallium arsenide
ion implantation
aluminum
phosphorus
room temperature
Дата публикации: 1982
Издатель: North-Holland Publishing Company
Серия/номер: Nuclear Instruments and Methods 0;v. 203, № 1–3, p. 523–526
Краткий осмотр (реферат): Channeling experiments with 1.0 MeV He+ ions have been carried out to study lattice damage of (111) GaAs crystals after 60 and 110 keV aluminum and phosphorus implantation. The implantation and the channeling measurements have been performed in situ at 42 К and at room temperature (RT) Implant doses ranged from 2.8*10^12 to 8*10^16 ions/cm^2. We have observed large differences in the level of the measured damage for Al+ and P+ implantations into GaAs at RT within a dose range 10^13–10^15 ions/cm^2. The chemical nature of the interaction between Al+ and P+ and GaAs is different. Consequently, it is perposed that the effect can be explained by different types of defect formation.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9220
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-17-Nucl_instr_& meth-1982-203(1-3)-(523-526).pdf755,7 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.