Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9222
Название: Различия в радиационном повреждении GaAs при имплантации ионов P и Al
Авторы: Дэвис, Дж.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Томпсон, Д.А.
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
ионная имплантация
алюминий
фосфор
метод обратного рассеяния каналированных ионов дефектообразования
Дата публикации: 1982
Издатель: Физика и техника полупроводников. Т. 16. В. 4
Серия/номер: ;С. 577–581
Краткий осмотр (реферат): Представлены и обсуждаются результаты исследования методом обратного рассеяния каналированных ионов дефектообразования в кристаллах арсенида галлия, имплантированных при низкой (40 К) и комнатной (293 К) температурах ионами фосфора и алюминия с энергией 60 кэВ в широком интервале доз от 10^12 до 10^16 ион/см^2. При 40 К динамика радиационного повреждения GaAs ионами Р и Аl весьма подобна. Полное разупорядочение имплантированного слоя достигается при дозе 5*10^13 см^(-2). В дозовых зависимостях повреждения GaAs ионами Р и Аl, внедряемых при Tкомн, наблюдаются три стадии, характеризующиеся разными скоростями накопления дефектов. Аморфизация имплантированного слоя наступает при внедрении потоков ионов Р+ и Аl+ соответственно при дозах 3*10^14 и 4*10^15 см^(-2). Впервые полученные дозовые зависимости повреждения кристаллов при разных температурах позволяют считать различия в химической природе атомов фосфора и алюминия, имплантированных в арсенид галлия, одним из основных факторов, которыми обусловлены существенные различия в уровне повреждения данного материала ионами Р и Аl.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9222
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-19-ФиТП-1982-16-4(577-581).pdf719,64 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.