Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9231
Название: Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний
Авторы: Гуманский, Г. А.
Комаров, Ф. Ф.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Тишков, В. С.
Ключевые слова: БГПУ
кремний
ион углерода
дефектообразование
высокая температура
ионная имплантация
Дата публикации: 1978
Серия/номер: Сборник докладов Международной конференции по ионной имплантации в полупроводниках. Райнхардсбрунн, ГДР. 23–29 октября 1977 г.;т. 1, с. 15–24
Краткий осмотр (реферат): Темой работы было изучение образования дефектов, распределения их по глубине кристалла, а также выяснение пространственного распределения внедренных атомов углерода; изучение структурных превращений при высокотемпературной имплантации ионов С+ в кристаллы кремния. Исследования выполнялись методом обратного рассеяния ускоренных ионов Не+ и дифракции электронов на отражение.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9231
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-28-Konf-GDR-oct_1977.pdf937,75 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.