Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний
| dc.contributor.author | Гуманский, Г. А. | |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.contributor.author | Тишков, В. С. | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:13:00Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:13:00Z | |
| dc.date.issued | 1978 | |
| dc.description.abstract | Темой работы было изучение образования дефектов, распределения их по глубине кристалла, а также выяснение пространственного распределения внедренных атомов углерода; изучение структурных превращений при высокотемпературной имплантации ионов С+ в кристаллы кремния. Исследования выполнялись методом обратного рассеяния ускоренных ионов Не+ и дифракции электронов на отражение. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9231 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Сборник докладов Международной конференции по ионной имплантации в полупроводниках. Райнхардсбрунн, ГДР. 23–29 октября 1977 г.;т. 1, с. 15–24 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | ион углерода | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.subject | высокая температура | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.title | Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |