Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний

Abstract

Темой работы было изучение образования дефектов, распределения их по глубине кристалла, а также выяснение пространственного распределения внедренных атомов углерода; изучение структурных превращений при высокотемпературной имплантации ионов С+ в кристаллы кремния. Исследования выполнялись методом обратного рассеяния ускоренных ионов Не+ и дифракции электронов на отражение.