Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9227
Название: Backscattering measurements of P+ implanted GaAs crystals
Авторы: Tashlykov, I. S.
Ключевые слова: БГПУ
gallium arsenide
ion implantation
phosphorus ion
Дата публикации: 1980
Издатель: North-Holland Publishing Company
Серия/номер: Nuclear Instruments and Methods;170, p. 403–406
Краткий осмотр (реферат): Implantation of phosphorus and aluminium ions into GaAs is important in the investigation of the transformation processes which can take place during ion implantation and in the fabrication of heterojunctions. In this paper profiles of phosphorus, implanted into GaAs at different energies, temperatures, doses and dose rates and depth distributions of damage are discussed. For room temperature implantations, the range of the defect peak exceeds projected range (theoretical) by 30% and can extend to depths of several times higher than projected range (theoretical) for implantation at high temperatures. The profiles of implanted phosphorus are characterized by a complicated distribution. Using the RBS technique the estimated depth of phosphorus profiles ranges up to hundreds of nanometers. A discussion of the recently observed effect of high ion beam current density on damage and the distribution of implanted at this presented.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9227
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-24-Nucl_instr_& meth-1980-170(403-406).pdf694,06 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.