Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9225
Название: Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals
Авторы: Komarov, F. F.
Tashlykov, I. S.
Ключевые слова: БГПУ
gallium arsenide
distribution of defects
phosphorus ion
Дата публикации: 1980
Издатель: Radiation effects. Vol. 49
Серия/номер: ;P. 151–156
Краткий осмотр (реферат): In this work distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals are investigated and peculiarities of this distribution are described.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9225
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-22-1980-49(151-156).pdf795,22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.