Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9225| Название: | Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals |
| Авторы: | Komarov, F. F. Tashlykov, I. S. |
| Ключевые слова: | БГПУ gallium arsenide distribution of defects phosphorus ion |
| Дата публикации: | 1980 |
| Серия/номер: | Radiation effects;vol. 49, pp. 151–156 |
| Краткий осмотр (реферат): | In this work distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals are investigated and peculiarities of this distribution are described. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9225 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-22-1980-49(151-156).pdf | 795,22 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.