Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9225Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Komarov, F. F. | - |
| dc.contributor.author | Tashlykov, I. S. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T12:18:48Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T12:18:48Z | - |
| dc.date.issued | 1980 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9225 | - |
| dc.description.abstract | In this work distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals are investigated and peculiarities of this distribution are described. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Radiation effects;vol. 49, pp. 151–156 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | gallium arsenide | ru_RU |
| dc.subject | distribution of defects | ru_RU |
| dc.subject | phosphorus ion | ru_RU |
| dc.title | Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystals | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-22-1980-49(151-156).pdf | 795,22 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.