Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9233| Название: | Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании |
| Авторы: | Комаров, Ф.Ф. Ташлыков, Игорь Серафимович |
| Ключевые слова: | БГПУ ионно-лучевое легирование дефектообразование арсенид галлия ион фосфора |
| Дата публикации: | 1977 |
| Серия/номер: | Доклады АН БССР; т. XXI, № 10, с. 900–903 |
| Краткий осмотр (реферат): | Темой исследования было изучение образования дефектов, определение их распределения по глубине в кристаллах арсенида галлия при имплантации ионов Р+. Исследование выполнялось неразрушающим методом ОР ускоренных легких ионов. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9233 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-30-Докл_АН наук-1977-21-10(900-903).pdf | 666,03 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.