Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9233
Название: Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании
Авторы: Комаров, Ф.Ф.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
ионно-лучевое легирование
дефектообразование
арсенид галлия
ион фосфора
Дата публикации: 1977
Издатель: Доклады АН БССР. Т. XXI. № 10
Серия/номер: ;C. 900–903
Краткий осмотр (реферат): Темой исследования было изучение образования дефектов, определение их распределения по глубине в кристаллах арсенида галлия при имплантации ионов Р+. Исследование выполнялось неразрушающим методом ОР ускоренных легких ионов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9233
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-30-Докл_АН наук-1977-21-10(900-903).pdf666,03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.