Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора

Abstract

В работе сопоставляются новые результаты по исследованию профилей дефектов и атомов фосфора в GaAs, облученном ионами фосфора с различными энергией, температурой, дозой, мощностью дозы и другими условиями. Обсуждаются особенности нарушений структуры, связанные не только с распределением смещенных атомов, но и с образованием фазы тройного соединения при внедрении Р+ в GaAs.