Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9228
Название: Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
метод обратного рассеяния кристаллов
арсенид галлия
ион фосфора
Дата публикации: 1979
Издатель: Новосибирск. Изд-во ГПНТБ
Серия/номер: Труды II советско-американского семинара по ионной имплантации;с. 63–81
Краткий осмотр (реферат): В работе сопоставляются новые результаты по исследованию профилей дефектов и атомов фосфора в GaAs, облученном ионами фосфора с различными: энергией, температурой, дозой, мощностью дозы и другими условиями. Обсуждаются особенности нарушений структуры, связанные не только с распределением смещенных атомов, но и с образованием фазы тройного соединения при внедрении Р+ в GaAs.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9228
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-25-ТРУДЫ(сем-Новосибирск-1979.pdf1,31 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.