Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T12:46:23Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T12:46:23Z | |
| dc.date.issued | 1979 | |
| dc.description.abstract | В работе сопоставляются новые результаты по исследованию профилей дефектов и атомов фосфора в GaAs, облученном ионами фосфора с различными энергией, температурой, дозой, мощностью дозы и другими условиями. Обсуждаются особенности нарушений структуры, связанные не только с распределением смещенных атомов, но и с образованием фазы тройного соединения при внедрении Р+ в GaAs. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9228 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | Изд-во ГПНТБ, Новосибирск | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Труды II советско-американского семинара по ионной имплантации;с. 63–81 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | метод обратного рассеяния кристаллов | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | ион фосфора | ru_RU |
| dc.title | Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |