Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9215
Название: Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
метод обратного рассеяния каналированных ионов
анализ качества кристаллов
Дата публикации: 1985
Издатель: АН СССР
Серия/номер: ПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика. Москва;№ 3. С. 81–83
Краткий осмотр (реферат): Сделаны выводы о влиянии анализирующего пучка ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия в зависимости от температуры среды. Даны рекомендации, которые следует учитывать при изучении кристаллов GaAs с применением метода обратного рассеяния.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9215
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-12-Поверх(ФХМ)-1985-3(81-83).pdf616,31 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.