Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T10:31:14Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T10:31:14Z | |
| dc.date.issued | 1985 | |
| dc.description.abstract | Сделаны выводы о влиянии анализирующего пучка ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия в зависимости от температуры среды. Даны рекомендации, которые следует учитывать при изучении кристаллов GaAs с применением метода обратного рассеяния. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9215 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | АН СССР, Москва | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | ПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика;№ 3, с. 81–83 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | метод обратного рассеяния каналированных ионов | ru_RU |
| dc.subject | анализ качества кристаллов | ru_RU |
| dc.title | Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |