Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9232
Название: Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах
Авторы: Комаров, Ф.Ф.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
дефектообразование
арсенид галлия
ион фосфора
ионная имплантация
Дата публикации: 1977
Издатель: АН СССР. Изд-во «Наука». Ленинград
Серия/номер: Физика и техника полупроводников;т. 11, с. 1976–1978
Краткий осмотр (реферат): Используя метод обратного рассеяния, изучено образование дефектов в GaAs при имплантации ионов фосфора с энергией 30 кэВ. В процессе имплантации кристаллы подогревались до температур от комнатной до 400 °С. Получена температурная зависимость радиационной поврежденности. Установлено влияние температуры имплантации на профили распределения дефектов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9232
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-29-ФиТП-1977-11(1976-1978).pdf629,7 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.