Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9232| Название: | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах |
| Авторы: | Комаров, Ф.Ф. Ташлыков, Игорь Серафимович |
| Ключевые слова: | БГПУ дефектообразование арсенид галлия ион фосфора ионная имплантация |
| Дата публикации: | 1977 |
| Издатель: | Изд-во «Наука», Ленинград |
| Серия/номер: | Физика и техника полупроводников;т. 11, с. 1976–1978 |
| Краткий осмотр (реферат): | Используя метод обратного рассеяния, изучено образование дефектов в GaAs при имплантации ионов фосфора с энергией 30 кэВ. В процессе имплантации кристаллы подогревались до температур от комнатной до 400 °С. Получена температурная зависимость радиационной поврежденности. Установлено влияние температуры имплантации на профили распределения дефектов. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9232 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-29-ФиТП-1977-11(1976-1978).pdf | 629,7 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.