Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах

Abstract

Используя метод обратного рассеяния, изучено образование дефектов в GaAs при имплантации ионов фосфора с энергией 30 кэВ. В процессе имплантации кристаллы подогревались до температур от комнатной до 400 °С. Получена температурная зависимость радиационной поврежденности. Установлено влияние температуры имплантации на профили распределения дефектов.