Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах
| dc.contributor.author | Комаров, Ф.Ф. | |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:19:29Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:19:29Z | |
| dc.date.issued | 1977 | |
| dc.description.abstract | Используя метод обратного рассеяния, изучено образование дефектов в GaAs при имплантации ионов фосфора с энергией 30 кэВ. В процессе имплантации кристаллы подогревались до температур от комнатной до 400 °С. Получена температурная зависимость радиационной поврежденности. Установлено влияние температуры имплантации на профили распределения дефектов. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9232 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | Изд-во «Наука», Ленинград | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика и техника полупроводников;т. 11, с. 1976–1978 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | ион фосфора | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.title | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |