Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9226
Название: Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
имплантация ионов
фосфор
образование дефектов
Дата публикации: 1980
Издатель: АН СССР
Серия/номер: Физика и техника полупроводников;т. 14, с. 2146–2151
Краткий осмотр (реферат): Исследована имплантация ионов фосфора в арсенид галлия. Обнаружены зависимости образования дефектов от температуры внедрения, плотности тока и величины интегрального потока ионов. При комнатной температуре внедрения величина проекции пробега превышает на 20–30% теоретически оцениваемую по теории ЛШШ проективный пробег. В области температур имплантации выше 150°С глубина залегания максимума на профилях радиационных нарушений может превышать проективный пробег (теоретический) в несколько раз. При больших интегральных потоках внедренных ионов на спектрах обратного рассеяния отмечаются «хвосты» дефектов до глубин в несколько сот нанометров. Основной причиной превышения глубины залегания радиационных дефектов в имплантированном ионами фосфора арсениде галлия считается ускоренная радиацией диффузия атомов фосфора и дефектов в процессе облучения, дополнительно стимулированная температурой при «горячем» легировании или разогревом самим потоком ионов при высоких плотностях ионного тока.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9226
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-23-ФиТП-1980-14(2146-2151).pdf747,4 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.