Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора

Abstract

Исследована имплантация ионов фосфора в арсенид галлия. Обнаружены зависимости образования дефектов от температуры внедрения, плотности тока и величины интегрального потока ионов. При комнатной температуре внедрения величина проекции пробега превышает на 20–30% теоретически оцениваемый по теории ЛШШ проективный пробег. В области температур имплантации выше 150°С глубина залегания максимума на профилях радиационных нарушений может превышать проективный пробег (теоретический) в несколько раз. При больших интегральных потоках внедренных ионов на спектрах обратного рассеяния отмечаются «хвосты» дефектов до глубин в несколько сот нанометров. Основной причиной превышения глубины залегания радиационных дефектов в имплантированном ионами фосфора арсениде галлия считается ускоренная радиацией диффузия атомов фосфора и дефектов в процессе облучения, дополнительно стимулированная температурой при «горячем» легировании или разогревом самим потоком ионов при высоких плотностях ионного тока.