Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9216
Название: The influence of dose rate and analysis procedure on measured damage in P+ ion implanted GaAs
Авторы: Carter, G.
Nobes, M. J.
Tashlykov, I. S.
Ключевые слова: БГПУ
gallium arsenide
ion dose
ion dose rate
phosphorus
Дата публикации: 1984
Издатель: Radiation Effects Letters. Vol. 85
Серия/номер: ;P. 37–43
Краткий осмотр (реферат): It is shown that the damage measured following 40 keV P+ implantation into GaAs at room temperature, depends significantly upon the ion dose rate as well as ion dose. Substantial implantation annealing of the damage at room temperature was also observed. The importance of these results in making intercomparisons between different ion species implantation in GaAs is discussed.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9216
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-13-Rad_Eff-1984-85(37-43).pdf706,27 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.