Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9216Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Carter, G. | - |
| dc.contributor.author | Nobes, M. J. | - |
| dc.contributor.author | Tashlykov, I. S. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T10:38:12Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T10:38:12Z | - |
| dc.date.issued | 1984 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9216 | - |
| dc.description.abstract | It is shown that the damage measured following 40 keV P+ implantation into GaAs at room temperature, depends significantly upon the ion dose rate as well as ion dose. Substantial implantation annealing of the damage at room temperature was also observed. The importance of these results in making intercomparisons between different ion species implantation in GaAs is discussed. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Radiation Effects Letters;vol. 85, pp. 37–43 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | gallium arsenide | ru_RU |
| dc.subject | ion dose | ru_RU |
| dc.subject | ion dose rate | ru_RU |
| dc.subject | phosphorus | ru_RU |
| dc.title | The influence of dose rate and analysis procedure on measured damage in P+ ion implanted GaAs | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-13-Rad_Eff-1984-85(37-43).pdf | 706,27 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.