Просмотр собрания по группе - Темы арсенид галлия
Отображение результатов 1 до 13 из 13
Дата выпуска | Название | Автор(ы) |
1985 | Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия | Ташлыков, Игорь Серафимович |
1980 | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора | Ташлыков, Игорь Серафимович |
1977 | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах | Комаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович |
1984 | Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлия | Ташлыков, Игорь Серафимович |
1979 | Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора | Ташлыков, Игорь Серафимович |
1977 | Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании | Комаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович |
1987 | О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+ | Ташлыков, Игорь Серафимович; Поздеева, Татьяна Васильевна; Кальбитцер, З. |
1986 | Повреждение GaAs при имплантации Аl+ и Р+ с различной плотностью ионного тока | Ташлыков, Игорь Серафимович; Картер, Г.; Нобс, М. |
1988 | Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией | Ташлыков, Игорь Серафимович |
1982 | Применение метода резонансных ядерных реакций для изучения пространственного распределения алюминия, имплантированного в арсенид галлия | Дэвис, Дж.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Хау, Л. |
1980 | Радиационное повреждение и распределение внедренной примеси в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора | Белый, И. М.; Комаров, Ф. Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович |
1982 | Различия в радиационном повреждении GaAs при имплантации ионов P и Al | Дэвис, Дж.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Томпсон, Д. А. |
1975 | Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs | Белый, И. М.; Гуманский, Г. А.; Карась, В. И.; Ломако, В. М.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Тишков, В. С. |