Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9210
Название: Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
имплантация ионов
дефектообразование
Дата публикации: 1988
Издатель: Доклады АН БССР. Т. XXII. № 4
Серия/номер: ;С. 317–319
Краткий осмотр (реферат): Представленные в работе результаты исследования дефектообразования в GaAs, имплантированном ионами с М1 от 27 до 65 и E от 60 до 110 кэВ, показывают, что, варьируя плотностью выделяемой в упругих процессах энергии ионов, можно управлять концентрацией остаточных нарушений в арсениде галлия.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9210
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-7-Докл_АН наук-1988-4(317-319).pdf641,1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.