Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9210| Название: | Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией |
| Авторы: | Ташлыков, Игорь Серафимович |
| Ключевые слова: | БГПУ арсенид галлия имплантация ионов дефектообразование |
| Дата публикации: | 1988 |
| Серия/номер: | Доклады АН БССР;т. XXII, № 4, с. 317–319 |
| Краткий осмотр (реферат): | Представленные в работе результаты исследования дефектообразования в GaAs, имплантированном ионами с М1 от 27 до 65 и E от 60 до 110 кэВ, показывают, что, варьируя плотностью выделяемой в упругих процессах энергии ионов, можно управлять концентрацией остаточных нарушений в арсениде галлия. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9210 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-7-Докл_АН наук-1988-4(317-319).pdf | 641,1 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.