Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T09:51:12Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T09:51:12Z | |
| dc.date.issued | 1988 | |
| dc.description.abstract | Представленные в работе результаты исследования дефектообразования в GaAs, имплантированном ионами с М1 от 27 до 65 и E от 60 до 110 кэВ, показывают, что, варьируя плотностью выделяемой в упругих процессах энергии ионов, можно управлять концентрацией остаточных нарушений в арсениде галлия. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9210 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Доклады АН БССР;т. XXII, № 4, с. 317–319 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | имплантация ионов | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.title | Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |