Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9196| Название: | О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+ |
| Авторы: | Ташлыков, Игорь Серафимович Поздеева, Татьяна Васильевна Кальбитцер, З. |
| Ключевые слова: | БГПУ арсенид галлия имплантация ионами алюминий фосфор внедряемая примесь |
| Дата публикации: | 1987 |
| Серия/номер: | Физика и техника полупроводников;т. 21, вып. 4, с. 728–729 |
| Краткий осмотр (реферат): | Результаты настоящего исследования показывают, что влияние природы внедряемой примеси на торможение процессов отжига дефектов в GaAs, имплантированном Al+ и P+, эффективно даже при малых (в максимуме распределения N(P,Al)=0,2 ат %) количествах внедренной примеси. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9196 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-3-ФиТП-1987-21(728-729).pdf | 603,32 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.