Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9196
Название: О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Поздеева, Татьяна Васильевна
Кальбитцер, З.
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
имплантация ионами
алюминий
фосфор
внедряемая примесь
Дата публикации: 1987
Серия/номер: Физика и техника полупроводников. Т. 21. Вып. 4.; С. 728–729
Краткий осмотр (реферат): Результаты настоящего исследования показывают, что влияние природы внедряемой примеси на торможение процессов отжига дефектов в GaAs, имплантированном Al+ и P+, эффективно даже при малых (в максимуме распределения N(P,Al)=0,2 ат %) количествах внедренной примеси.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9196
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-3-ФиТП-1987-21(728-729).pdf603,32 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.