О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.contributor.author | Поздеева, Татьяна Васильевна | |
| dc.contributor.author | Кальбитцер, З. | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-20T11:39:23Z | |
| dc.date.available | 2016-01-20T11:39:23Z | |
| dc.date.issued | 1987 | |
| dc.description.abstract | Результаты настоящего исследования показывают, что влияние природы внедряемой примеси на торможение процессов отжига дефектов в GaAs, имплантированном Al+ и P+, эффективно даже при малых (в максимуме распределения N(P,Al)=0,2 ат %) количествах внедренной примеси. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9196 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика и техника полупроводников;т. 21, вып. 4, с. 728–729 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | имплантация ионами | ru_RU |
| dc.subject | алюминий | ru_RU |
| dc.subject | фосфор | ru_RU |
| dc.subject | внедряемая примесь | ru_RU |
| dc.title | О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+ | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |