Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9213
Название: Повреждение GaAs при имплантации Аl+ и Р+ с различной плотностью ионного тока
Авторы: Ташлыков, Игорь Серафимович
Картер, Г.
Нобс, М.
Ключевые слова: БГПУ
арсенид галлия
имплантация ионов
алюминий
фосфор
плотность ионного тока
Дата публикации: 1986
Издатель: Физика и техника полупроводников. Т. 20. Вып. 5
Серия/номер: ;С. 785–788
Краткий осмотр (реферат): Представлены и обсуждаются новые результаты исследования с применением метода ОР каналированных ионов в условиях повышенного глубинного разрешения динамики повреждения структуры кристаллов арсенида галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора с различной плотностью ионного тока (j=0.1–5 мкА/см^2). Показано, что в изученном интервале доз ионов (10^14–10^16 см^(-2)) слоевая концентрация дефектов в имплантированных кристаллах и их распределение по глубине существенно зависят от величины ионного тока ионов как фосфора, так и алюминия. Эффект объясняется изменением соотношения формирующихся в арсениде галлия различных типов вторичных дефектов при разных j внедряемых ионов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9213
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-10-ФиТП-20-5(785-788).pdf672,94 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.