Повреждение GaAs при имплантации Аl+ и Р+ с различной плотностью ионного тока

Abstract

Представлены и обсуждаются новые результаты исследования с применением метода ОР каналированных ионов в условиях повышенного глубинного разрешения динамики повреждения структуры кристаллов арсенида галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора с различной плотностью ионного тока (j=0.1–5 мкА/см^2). Показано, что в изученном интервале доз ионов (10^14–10^16 см^(-2)) слоевая концентрация дефектов в имплантированных кристаллах и их распределение по глубине существенно зависят от величины ионного тока ионов как фосфора, так и алюминия. Эффект объясняется изменением соотношения формирующихся в арсениде галлия различных типов вторичных дефектов при разных j внедряемых ионов.