Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9236| Название: | Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs |
| Авторы: | Белый, И. М. Гуманский, Г. А. Карась, В. И. Ломако, В. М. Ташлыков, Игорь Серафимович Тишков, В. С. |
| Ключевые слова: | БГПУ ионная имплантация арсенид галлия алюминий фосфор синтез соединений |
| Дата публикации: | 1975 |
| Издатель: | «Наука», АН СССР, Ленинград |
| Серия/номер: | Физика и техника полупроводников;т. 9, с. 2027–2029 |
| Краткий осмотр (реферат): | В сообщении представлены экспериментальные результаты по синтезу тройных соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs. Сделан вывод о том, что синтез этих соединений методом ионно-лучевого легирования возможен при температурах подложки не более 500 °С, что противоречит выводам некоторых авторов, указанным в литературе. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/9236 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-33-ФиТП-1975-9(2027-2030).pdf | 624,62 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.