Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9236
Название: Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs
Авторы: Белый, И.М.
Гуманский, Г.А.
Карась, В.И.
Ломако, В.М.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Тишков, В.С.
Ключевые слова: БГПУ
ионная имплантация
арсенид галлия
алюминий
фосфор
синтез соединений
Дата публикации: 1975
Издатель: АН СССР. Изд-во «Наука». Ленинград
Серия/номер: Физика и техника полупроводников;т. 9, с. 2027–2029
Краткий осмотр (реферат): В сообщении представлены экспериментальные результаты по синтезу тройных соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs. Сделан вывод о том, что синтез этих соединений методом ионно-лучевого легирования возможен при температурах подложки не более 500°С, что противоречит выводам некоторых авторов, указанным в литературе.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9236
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-33-ФиТП-1975-9(2027-2030).pdf624,62 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.