Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs

Abstract

В сообщении представлены экспериментальные результаты по синтезу тройных соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs. Сделан вывод о том, что синтез этих соединений методом ионно-лучевого легирования возможен при температурах подложки не более 500 °С, что противоречит выводам некоторых авторов, указанным в литературе.