Skip navigation
Главная страница
Просмотр
Разделы
и коллекции
Просмотр по:
Даты выпуска
Авторы
Заголовки
Темы
Справка
Зарегистрированным:
Мой архив
ресурсов
Обновления на e-mail
Редактировать профиль
Репозиторий БГПУ
ФАКУЛЬТЕТЫ. ИНСТИТУТЫ
поиск
Поиск:
Весь архив электронных ресурсов
ФАКУЛЬТЕТЫ. ИНСТИТУТЫ
Физико-математический факультет
Научные публикации физико-математического факультета
Учебные издания физико-математического факультета
Запрос
Текущие фильтры:
Название
Автор
тема
Дата выпуска
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не Содержит
Not ID
Название
Автор
тема
Дата выпуска
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не Содержит
Not ID
Начать новый поиск
Добавить фильтры:
Используйте фильтры для уточнения результата поиска..
Название
Автор
тема
Дата выпуска
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не Содержит
Not ID
Результаты 1-10 из 13.
Назад
1
2
Дальше
Найденные ресурсы:
Дата выпуска
Название
Автор(ы)
1980
Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора
Ташлыков, Игорь Серафимович
1977
Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах
Комаров, Ф.Ф.
;
Ташлыков, Игорь Серафимович
1975
Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs
Белый, И. М.
;
Гуманский, Г. А.
;
Карась, В. И.
;
Ломако, В. М.
;
Ташлыков, Игорь Серафимович
;
Тишков, В. С.
1985
Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия
Ташлыков, Игорь Серафимович
1984
Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлия
Ташлыков, Игорь Серафимович
1979
Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора
Ташлыков, Игорь Серафимович
1977
Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании
Комаров, Ф.Ф.
;
Ташлыков, Игорь Серафимович
1987
О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+
Ташлыков, Игорь Серафимович
;
Поздеева, Татьяна Васильевна
;
Кальбитцер, З.
1986
Повреждение GaAs при имплантации Аl+ и Р+ с различной плотностью ионного тока
Ташлыков, Игорь Серафимович
;
Картер, Г.
;
Нобс, М.
1982
Применение метода резонансных ядерных реакций для изучения пространственного распределения алюминия, имплантированного в арсенид галлия
Дэвис, Дж.
;
Ташлыков, Игорь Серафимович
;
Хау, Л.
Открыть
Автор
2
Белый, И. М.
2
Дэвис, Дж.
2
Комаров, Ф.Ф.
1
Гуманский, Г. А.
1
Кальбитцер, З.
1
Карась, В. И.
1
Картер, Г.
1
Комаров, Ф. Ф.
1
Ломако, В. М.
1
Нобс, М.
.
Следующая >
Тема
13
БГПУ
6
алюминий
5
фосфор
4
дефектообразование
4
имплантация ионов
4
ион фосфора
4
ионная имплантация
1
анализ качества кристаллов
1
внедряемая примесь
1
имплантация ионами
.
Следующая >
Издано
9
1980 - 1988
4
1975 - 1979