1. Репозиторий БГПУ
  2. ФАКУЛЬТЕТЫ. ИНСТИТУТЫ

поиск


Текущие фильтры:

Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результата поиска..

 | 
Результаты 1-10 из 13.
Найденные ресурсы:
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
1980Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфораТашлыков, Игорь Серафимович
1977Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурахКомаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1975Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAsБелый, И. М.; Гуманский, Г. А.; Карась, В. И.; Ломако, В. М.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Тишков, В. С.
1985Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлияТашлыков, Игорь Серафимович
1984Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлияТашлыков, Игорь Серафимович
1979Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфораТашлыков, Игорь Серафимович
1977Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легированииКомаров, Ф.Ф.; Ташлыков, Игорь Серафимович
1987О роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+Ташлыков, Игорь Серафимович; Поздеева, Татьяна Васильевна; Кальбитцер, З.
1986Повреждение GaAs при имплантации Аl+ и Р+ с различной плотностью ионного токаТашлыков, Игорь Серафимович; Картер, Г.; Нобс, М.
1982Применение метода резонансных ядерных реакций для изучения пространственного распределения алюминия, имплантированного в арсенид галлияДэвис, Дж.; Ташлыков, Игорь Серафимович; Хау, Л.

Открыть