Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7378
Название: Composition of Thin C, Ti, Zr and Mo-Based Layers Fabricated on Si by Means of SIAD and Accompanying Radiation Damage of Si Surface
Авторы: Tashlykov, I. S.
Wesch, W.
Wendler, E.
Ключевые слова: БГПУ
Self-ion-assisted deposition
Thin film
Silicon
Дата публикации: 2003
Издатель: III International Symposium. Zakopane, Poland
Серия/номер: Neet 2003;198–200
Краткий осмотр (реферат): The development in the structure and composition of C, Ti. Zr and Mo-based layers formed by self ion-assisted deposition (SIAD) of thin films onto silicon when (100)-silicon wafers were floated to a negative potential with respect to the source of 3 kV to accelerate the ion species is reported. Analysis was carried out using RBS/Channeling methods and the RUMP code computer simulation. Elemental analysis of the coatings shows a content of carbon, oxygen, silicon and hydrogen in coatings. A quantitative evaluation of ion irradiation effects during low-energy SIAD of thin films on silicon is given.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/7378
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Neet 2003.pdf1,69 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.