Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/12643
Название: Radiation damage and amorphization mechanisms in Xe+ irradiated CuInSe2 single crystals
Авторы: Yakushev, M. V.
Tashlykov, I. S.
Tomlinson, R. D.
Hill, A. E.
Pilkington, R. D.
Ключевые слова: БГПУ
CuInSe2
radiation damage
RBS/channelling
Xe implantation
Дата публикации: 1997
Издатель: Trans Tech Publications, Switzerland
Серия/номер: Materials Science Forum;vols. 248–249, p. 171–176
Краткий осмотр (реферат): The damage evolution in ion bombarded CuInSe2 single crystal has been studied using the RBS/channelling analysis with 2MeV He+ ions. 40keV Xe+ ions were implanted with fluences in the range from 10^13 to 10^16 cm^(–2) and an ion current density of 1.9A/cm^2 at room temperature. It was found that the radiation accumulation follows a linear function in a double logarithmic plot with slope m=1.5. The saturation level of the damage was achieved at a fluence of about 10^15 cm^(–2). A heterogeneous mechanism of the damage accumulation in the CuInSe2 crystal irradiated with ions with mass equal to or greater than xenon mass is suggested.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/12643
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Mater_Science_Forum-(248-249)-2-ТИС.pdf783,83 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.