1. Репозиторий БГПУ

Просмотр собрания по группе - Темы gallium arsenide

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
Или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 1 до 4 из 4
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
1980Backscattering measurements of P+ implanted GaAs crystalsTashlykov, I. S.
1982Disorder dependence of ion implanted GaAs on the type of ionTashlykov, I. S.
1980Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystalsKomarov, F. F.; Tashlykov, I. S.
1984The influence of dose rate and analysis procedure on measured damage in P+ ion implanted GaAsCarter, G.; Nobes, M. J.; Tashlykov, I. S.
Отображение результатов 1 до 4 из 4