Радиационное повреждение и распределение внедренной примеси в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Издательство Московского университета
Abstract
В работе представлены основные результаты исследований образования дефектов в имплантированном ионами Р+ арсениде галлия в зависимости от интегрального потока и энергии ионов, температуры и ориентации кристаллов в процессе имплантации. Изучено также влияние названных параметров на распределение внедренного фосфора.
Description
Keywords
БГПУ, дефектообразование, арсенид галлия, ион фосфора, ионная имплантация