Ионно-ассистируемое осаждение тонких пленок на основе С, Ti, Zr, Мо на кремний

Abstract

Методами POP/каналирования и компьютерного моделирования спектров рассеяния исследованы покрытия на основе С, Ti, Zr и Мо, нанесенные на Si подложку методом ионно-ассистируемого осаждения. Установлено, что в состав покрытий входят атомы материала подложки (Si), а также кислород, углерод и водород. Радиационное повреждение кремния вблизи межфазной границы практически не зависит от массы бомбардирующих ионов.