Ионно-ассистируемое осаждение тонких пленок на основе С, Ti, Zr, Мо на кремний
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.contributor.author | Веш, В. | |
| dc.contributor.author | Вендлер, Э. | |
| dc.date.accessioned | 2015-11-19T09:11:02Z | |
| dc.date.available | 2015-11-19T09:11:02Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.description.abstract | Методами POP/каналирования и компьютерного моделирования спектров рассеяния исследованы покрытия на основе С, Ti, Zr и Мо, нанесенные на Si подложку методом ионно-ассистируемого осаждения. Установлено, что в состав покрытий входят атомы материала подложки (Si), а также кислород, углерод и водород. Радиационное повреждение кремния вблизи межфазной границы практически не зависит от массы бомбардирующих ионов. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/7618 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика и химия обработки материалов;№ 3, с. 30–33 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | тонкая пленка | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | ионно-ассистируемое осаждение | ru_RU |
| dc.title | Ионно-ассистируемое осаждение тонких пленок на основе С, Ti, Zr, Мо на кремний | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |