Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Темой исследования было изучение образования дефектов, определение их распределения по глубине в кристаллах арсенида галлия при имплантации ионов Р+. Исследование выполнялось неразрушающим методом ОР ускоренных легких ионов.
Description
Keywords
БГПУ, ионно-лучевое легирование, дефектообразование, арсенид галлия, ион фосфора