Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9287
Название: Исследование радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами углерода
Авторы: Гуманский, Г.А.
Мудрый, А.В.
Патрин, А.А.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Шамаль, В.А.
Ключевые слова: БГПУ
дефектообразование
кремний
ионная имплантация
углерод
Дата публикации: 1974
Издатель: International conference on ion implantation in semiconductors. Lublin. 9–12 September 1974.
Серия/номер: ;vol. 1, p. 226–238
Краткий осмотр (реферат): Излагаются основные результаты исследования дефектообразования при имплантации кремния ионами углерода с Е=30–40 кэВ и интегральными потоками до 6*10^16 см^(-2). Иcпользуя ориентационную зависимость Резерфордовского рассеяния, были получены спектры обратно рассеянных ионов гелия при ориентировании оси <III> исследуемого кристалла в направлении пучка ионов и при случайной ориентации кристалла. На основании полученных спектров проведен анализ профиля распределения дефектов, дана количественная оценка степени повреждения кристалла, показано распределение углерода по глубине в имплантированном слое. На основании анализа низкотемпературных спектров люминесценции и оптического поглощения установлена природа дефектов, формирующихся при внедрении ионов углерода (дивакансии, 5-вакансионные комплексы и др.). Изохронный отжиг в интервале температур 0–900°С позволил изучить кинетику перестройки ряда дефектов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9287
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-36-Konf-Lublin-sep_1974.pdf1,18 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.