Исследование радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами углерода

Abstract

Излагаются основные результаты исследования дефектообразования при имплантации кремния ионами углерода с Е=30–40 кэВ и интегральными потоками до 6*10^16 см^(-2). Иcпользуя ориентационную зависимость Резерфордовского рассеяния, были получены спектры обратно рассеянных ионов гелия при ориентировании оси <III> исследуемого кристалла в направлении пучка ионов и при случайной ориентации кристалла. На основании полученных спектров проведен анализ профиля распределения дефектов, дана количественная оценка степени повреждения кристалла, показано распределение углерода по глубине в имплантированном слое. На основании анализа низкотемпературных спектров люминесценции и оптического поглощения установлена природа дефектов, формирующихся при внедрении ионов углерода (дивакансии, 5-вакансионные комплексы и др.). Изохронный отжиг в интервале температур 0–900°С позволил изучить кинетику перестройки ряда дефектов.