Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9280
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гетц, Г. | - |
dc.contributor.author | Клинге, К. Д. | - |
dc.contributor.author | Швабе, Ф. | - |
dc.contributor.author | Гуманский, Г. А. | - |
dc.contributor.author | Соловьев, В. С. | - |
dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
dc.date.accessioned | 2016-01-22T09:18:58Z | - |
dc.date.available | 2016-01-22T09:18:58Z | - |
dc.date.issued | 1974 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9280 | - |
dc.description.abstract | Методом обратного рассеяния протонов и ионов гелия в сочетании с послойным стравливанием изучалось разупорядочение структуры на различных глубинах в эпитаксиальном кремнии при внедрении ионов аргона с энергией 200 кэВ и интегральным потоком от 5*10^14 до 5*10^15 ионов/см^2 при 20°С и 200°С и последующем отжиге. Установлено наличие разупорядочения на глубинах больше 1 мк, т. e. превышающих пробег ионов, показано влияние условий облучения и термообработки на глубину распределения радиационных нарушений. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | International conference on ion implantation in semiconductors. Lublin. 9–12 September 1974;vol. 1, pp. 195–204 | - |
dc.subject | БГПУ | ru_RU |
dc.subject | кремний | ru_RU |
dc.subject | ион аргона | ru_RU |
dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
dc.subject | метод обратного рассеяния ионов гелия | ru_RU |
dc.title | Пространственное распределение радиационных нарушений в кремнии, облученном ионами аргона | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
6-34-Konf-Lublin-seh_1974.pdf | 961,98 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.