Пространственное распределение радиационных нарушений в кремнии, облученном ионами аргона

Abstract

Методом обратного рассеяния протонов и ионов гелия в сочетании с послойным стравливанием изучалось разупорядочение структуры на различных глубинах в эпитаксиальном кремнии при внедрении ионов аргона с энергией 200 кэВ и интегральным потоком от 5*10^14 до 5*10^15 ионов/см^2 при 20°С и 200°С и последующем отжиге. Установлено наличие разупорядочения на глубинах больше 1 мк, т. e. превышающих пробег ионов, показано влияние условий облучения и термообработки на глубину распределения радиационных нарушений.