Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9235
Название: Исследование слоев кремния, имплантированных стехиометрическими дозами ионов углерода
Авторы: Белый, И. М.
Гуманский, Г. А.
Соловьев, В. С.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Тишков, В. С.
Гетц, Г.
Хель, К.
Швабе, Ф.
Ключевые слова: БГПУ
кремний
ион углерода
ионная имплантация
легирование
Дата публикации: 1975
Серия/номер: International conference on ion implantation in semiconductors. 1975, Budapest;pp. 462–471
Краткий осмотр (реферат): Изучены вопросы влияния условий легирования на синтез карбида кремния, количественного состава имплантированных слоев, их размеров и некоторые другие.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9235
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-32-Konf-Budapest-1975(462-471).pdf822,67 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.