Исследование слоев кремния, имплантированных стехиометрическими дозами ионов углерода

dc.contributor.authorБелый, И. М.
dc.contributor.authorГуманский, Г. А.
dc.contributor.authorСоловьев, В. С.
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович
dc.contributor.authorТишков, В. С.
dc.contributor.authorГетц, Г.
dc.contributor.authorХель, К.
dc.contributor.authorШвабе, Ф.
dc.date.accessioned2016-01-21T13:44:42Z
dc.date.available2016-01-21T13:44:42Z
dc.date.issued1975
dc.description.abstractИзучены вопросы влияния условий легирования на синтез карбида кремния, количественного состава имплантированных слоев, их размеров и некоторые другие.ru_RU
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9235
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesInternational conference on ion implantation in semiconductors. 1975, Budapest;pp. 462–471
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectион углеродаru_RU
dc.subjectионная имплантацияru_RU
dc.subjectлегированиеru_RU
dc.titleИсследование слоев кремния, имплантированных стехиометрическими дозами ионов углеродаru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
6-32-Konf-Budapest-1975(462-471).pdf
Size:
822.67 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
105 B
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: