Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9234
Название: Распределение радиационных повреждений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона
Авторы: Гетц, Г.
Клинге, К.-Д.
Швабе, Ф.
Гуманский, Г.А.
Соловьев, В.С.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Ключевые слова: БГПУ
кремний
фосфор
аргон
метод обратного рассеяния ионов гелия
ионная имплантация
Дата публикации: 1975
Издатель: International conference on ion implantation in semiconductors. Budapest
Серия/номер: ;P. 282–289
Краткий осмотр (реферат): В работе говорится о применении метода обратного рассеяния ионов гелия для анализа профиля нарушений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона с энергией 200 кэВ и дозой 5*10^15 ион/см^2 при температурах мишени 20 и 200°С. С целью получения более подробной информации о глубинном разупорядочении использовался метод послойного стравливания анодноокисленных слоев, который позволяет не только осуществлять хорошо контролируемое удаление слоев, но и получать очень ровную и чистую поверхность, что чрезвычайно важно при ионометрических исследованиях.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/9234
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-31-Konf-Budapest-1975(282-289).pdf730,69 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.