Распределение радиационных повреждений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона

Abstract

В работе говорится о применении метода обратного рассеяния ионов гелия для анализа профиля нарушений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона с энергией 200 кэВ и дозой 5*10^15 ион/см^2 при температурах мишени 20 и 200 °С. С целью получения более подробной информации о глубинном разупорядочении использовался метод послойного стравливания анодноокисленных слоев, который позволяет не только осуществлять хорошо контролируемое удаление слоев, но и получать очень ровную и чистую поверхность, что чрезвычайно важно при ионометрических исследованиях.