Распределение радиационных повреждений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона
| dc.contributor.author | Гетц, Г. | |
| dc.contributor.author | Клинге, К. Д. | |
| dc.contributor.author | Швабе, Ф. | |
| dc.contributor.author | Гуманский, Г. А. | |
| dc.contributor.author | Соловьев, В. С. | |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:35:08Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:35:08Z | |
| dc.date.issued | 1975 | |
| dc.description.abstract | В работе говорится о применении метода обратного рассеяния ионов гелия для анализа профиля нарушений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона с энергией 200 кэВ и дозой 5*10^15 ион/см^2 при температурах мишени 20 и 200 °С. С целью получения более подробной информации о глубинном разупорядочении использовался метод послойного стравливания анодноокисленных слоев, который позволяет не только осуществлять хорошо контролируемое удаление слоев, но и получать очень ровную и чистую поверхность, что чрезвычайно важно при ионометрических исследованиях. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9234 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | International conference on ion implantation in semiconductors. Budapest;pp. 282–289 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | фосфор | ru_RU |
| dc.subject | аргон | ru_RU |
| dc.subject | метод обратного рассеяния ионов гелия | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.title | Распределение радиационных повреждений в кремнии, облученном ионами фосфора и аргона | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |