1. Репозиторий БГПУ
  2. ФАКУЛЬТЕТЫ. ИНСТИТУТЫ
  3. Физико-математический факультет
  4. Научные публикации физико-математического факультета
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9196
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorПоздеева, Татьяна Васильевна-
dc.contributor.authorКальбитцер, З.-
dc.date.accessioned2016-01-20T11:39:23Z-
dc.date.available2016-01-20T11:39:23Z-
dc.date.issued1987-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9196-
dc.description.abstractРезультаты настоящего исследования показывают, что влияние природы внедряемой примеси на торможение процессов отжига дефектов в GaAs, имплантированном Al+ и P+, эффективно даже при малых (в максимуме распределения N(P,Al)=0,2 ат %) количествах внедренной примеси.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика и техника полупроводников;т. 21, вып. 4, с. 728–729-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectимплантация ионамиru_RU
dc.subjectалюминийru_RU
dc.subjectфосфорru_RU
dc.subjectвнедряемая примесьru_RU
dc.titleО роли природы примеси в повреждении GaAs, имплантированном ионами Al+ и P+ru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-3-ФиТП-1987-21(728-729).pdf603,32 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.