Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9190
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKomarov, F. F.-
dc.contributor.authorTashlykov, I. S.-
dc.contributor.authorKorschunov, F. N.-
dc.contributor.authorKamyshan, A. S.-
dc.contributor.authorKotov, E. V.-
dc.contributor.authorPlaschinski, G. I.-
dc.date.accessioned2016-01-20T11:13:27Z-
dc.date.available2016-01-20T11:13:27Z-
dc.date.issued1986-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9190-
dc.description.abstractThe action of electron irradiation on the structural properties of silicon was studied.ru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.relation.ispartofseriesRadiation effects;vol. 91, pp. 293–295-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectsiliconru_RU
dc.subjectthin crystalru_RU
dc.subjectstructural propertiesru_RU
dc.subjectelectron irradiationru_RU
dc.titleChange in structural properties of thin crystals of Si under electron irradiationru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-1-Rad_Eff-1986-91(293-295).pdf586,63 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.