Изучение границы раздела фаз в структуре Ti – Si с применением Хе маркера

Abstract

Разработана новая методика введения маркера в подложку предварительной ионной имплантацией ксенона для определения границы раздела фаз покрытие – подложка. Данная методика в сочетании с резерфордовским обратным рассеянием ионов гелия позволила установить реальную границу, точность которой определяется страгглингом пробега (±5,7 нм) ионов ксенона в кремнии, между металлсодержащим покрытием и кремниевой подложкой и выявить процессы взаимопроникновения элементов покрытия вглубь подложки и встречной диффузии элементов подложки в покрытие.