Изучение границы раздела фаз в структуре Ti – Si с применением Хе маркера
| dc.contributor.author | Бобрович, Олег Георгиевич | |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | |
| dc.contributor.author | Глухатаренко, Т. И. | |
| dc.date.accessioned | 2015-11-09T10:23:29Z | |
| dc.date.available | 2015-11-09T10:23:29Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.description.abstract | Разработана новая методика введения маркера в подложку предварительной ионной имплантацией ксенона для определения границы раздела фаз покрытие – подложка. Данная методика в сочетании с резерфордовским обратным рассеянием ионов гелия позволила установить реальную границу, точность которой определяется страгглингом пробега (±5,7 нм) ионов ксенона в кремнии, между металлсодержащим покрытием и кремниевой подложкой и выявить процессы взаимопроникновения элементов покрытия вглубь подложки и встречной диффузии элементов подложки в покрытие. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/7384 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | БГТУ, Минск | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Труды Белорусского государственного технологического университета. Сер. VI. Физико-математические науки и информатика;вып. VIII, с. 90–92 | |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | ионно-ассистированное нанесение покрытий | ru_RU |
| dc.subject | метод ИАНПУС | ru_RU |
| dc.subject | маркер ксенон | ru_RU |
| dc.subject | покрытие Ti – Si | ru_RU |
| dc.title | Изучение границы раздела фаз в структуре Ti – Si с применением Хе маркера | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |