Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7380
Название: Radiation damage of Si wafers modified by means of thin layer ion assisted deposition
Авторы: Tashlykov, I. S.
Bobrovich, O. G.
Ключевые слова: БГПУ
Self-ion assisted deposition
Silicon
Deposited energy density
Thin film
Дата публикации: 2005
Издатель: Vacuum 78
Серия/номер: ;337–340
Краткий осмотр (реферат): Development of the damage and structure of metal-based-film-Si structures’ constructions formed by ion-beam-assisted deposition (IBAD) of thin films onto silicon, using a method in which the metal deposition is accompanied by bombardment by the same metal ions, is considered. The analysis was carried out using the RBS/channeling and ТЕМ methods. The films are found to have uniform thickness, they are amorphous in the interface region and include low scale (~'5–10 nm) inserts of metal. It is estimated that concentration of silicon atoms displaced during the IBAD process in the interface region decreases 1.7-3.7 times when a thin layer on the silicon wafer is deposited by physical evaporation before the IBAD process.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/7380
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Вакуум 78-2005-ТИС.pdf1,79 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.