Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/31905
Название: Повреждение структуры кремния при ионно-ассистированном осаждении металлсодержащего покрытия в условиях самооблучения
Авторы: Бобрович, Олег Георгиевич
Ташлыков, Игорь Серафимович
Михалкович, Олег Михайлович
Ключевые слова: БГПУ
кремний
ионно-ассистированное осаждение покрытий в условиях самооблучения
повреждение структуры
Дата публикации: 2006
Серия/номер: Труды Белорусского государственного технологического университета. Серия VI. Физико-математические науки и информатика;вып. XIV, с. 82–84
Краткий осмотр (реферат): This paper discussed an dose dependence of a damage in Si during self ion-assisted deposition of a thin metal (Ti) films. RBS/channeling technique was applied to investigate a depth distribution of the damage. It is observed that a concentration of defects increases with a dose of ions at comparable energies of assisting ions Ti1. The maximum concentration displaced of clusters of atoms of silicon obtained at an implantation of ions Xe+ decreases at the subsequent self ion-assisted deposition of coating, that contacts to an activation of migratory processes into the depth of silicon at heightened energy release (0,22 ev/atoms) in the stage of atomic collisions.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/31905
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
3-Труды БГТУ-2006-14-82-МОМ.pdf677,96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.